20240605-华金证券-走进“芯”时代系列之八十“功率半导”深度分析：“功率半导”铸全球竞争护城河，产品格局看“底部”机遇.pdf
本文讨论了“功率半导体”技术的分析，特别关注了SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）产品的发展趋势和竞争力。
报告强调了Ron（特别是Ron,sp）的重要性，它代表了功率器件的总电阻。较小的Ron,sp表示更好的性能、更低的成本和更高的可靠性。然而，它也增加了在故障条件下发生故障的风险。
文章讨论了Ron的组成，包括RDrift、RCh、RJFET、RSubs和ROther，它们影响了器件的总电阻。
报告还分析了SiC MOSFET产品的发展趋势，指出Ron,sp的进展导致了成本的降低和竞争力的增强。文章最后强调了基于Ron,sp值评估功率半导体器件性能的重要性。
此外，报告提供了一个行业评估系统，根据公司未来业绩和市场趋势评估其投资潜力和风险水平。
总的来说，本文全面分析了“功率半导体”技术，重点关注了SiC MOSFET产品的发展趋势和竞争力。它强调了评估功率半导体器件性能时Ron,sp值的重要性。
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